Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 6 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Сообщается о проведенных исследованиях структур InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками, встроенными в активную область лазерного диода, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и исследованиях вольт-фарадных характеристик. Обнаружено, что в зависимости от температуры предварительного изохронного отжига образца Ta<Tac=245 K или Ta>Tac и условий охлаждения - с напряжением смещения Vb=0 или приложенным импульсом заполнения Vf>0 - спектр DLTS претерпевает существенные изменения. Они связываются с проявлением эффекта кулоновского взаимодействия носителей, захваченных в квантовую точку, с точечными дефектами, локализованными в ближайших окрестностях квантовых точек, а также с образованием диполя, возникающего при Ta<Tac и охлаждении при Vf>0, или с его отсутствием при Ta>Tac и Vb=0. Обнаружено, что в диполе происходит туннелирование носителей с более глубоких состояний дефектов на более мелкие состояния квантовых точек с последующей их эмиссией в зоны.
- Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1887 (1986)
- V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele (Принято к печати в J. Cryst. Growth, 175 (1997) )
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- T. Matsumoto, Y. Ito, T. Ishida. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 1541 (1989)
- K.L. Jiao, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 73, 271 (1993)
- S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
- П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996). [Semiconductors, 30, 492 (1996)]
- A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
- П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
- L. Samuelson, P. Omling, H.G. Grimmeis. J. Cryst. Growth., 55, 164 (1981)
- D.L. Partin, J.W. Chen, A.G. Milnes, L.F. Vassamillet. J. Appl. Phys., 50, 6845 (1979)
- M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, M.I. Papentsev, V.S. Kalinovsky. Semicond. Sci. Technol., 11, 1692 (1996)
- S.R. Forrest, O.K. Kim. J. Appl. Phys., 53, 5738 (1982)
- K. Kazmierski, P. Philippe, P. Poulain, B. de Cremoux. J. Appl. Phys., 61, 1941 (1987)
- F. Capasso, F. Beltram. Mater. Soc. Symp. Proc., 104, 47 (1988)
- M. Grundmann, N.N. Ledensov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
- Ph. Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
