"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Массивы напряженных квантовых точек InAs в матрице (In,Ga)As, выращенные на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Цацульников А.Ф.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Максимов М.В.1, Суворова А.А.1, Берт Н.А.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы напряженных островков InAs в матрице (In,Ga)As на подложке InP(100) и проведено исследование их структурных и оптических свойств. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии и дифракции быстрых электронов, критическая толщина, отвечающая началу островкового роста, составляет 3 монослоя. Образующиеся островки InAs являются когерентно напряженными, размер основания варьируется от 20 до 90 нм. Формирование островков приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции доминирующей длинноволновой линии, сдвигающейся в сторону меньшей энергии с увеличением эффективной толщины InAs. Излучение, обусловленное островками InAs, перекрывает диапазон длин волн 1.65/2 мкм.
  • Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  • P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
  • J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  • S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Sherniakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg. Proc. 9th Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices, Jily 14--19, 1996, Liege, Belgium
  • V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele (Принято к печати в J. Cryst. Growth, 175 (1997))
  • Ю.М. Шерняков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Зайцев, А.Р. Ковш, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, Чжао Чжэнь, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма ЖЭТФ (в печати)
  • А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алферов, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, 1345 (1996)
  • R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995)
  • А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Н.Н. Фалеев, П.С. Копьев. ФТП, 31, 19 (1997)
  • S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, S. Charbonneau. Appl. Phys. Lett., 68, 991 (1996)
  • А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
  • S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Inst. Phys. Conf. Ser. No 146, 31 (1995)
  • E. Tounie, O. Brandt, K. Ploog. Semicond. Sci. Technol., 8, S236 (1993)
  • А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, В.В. Комин, И.В. Кочнев, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1793 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.