Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при больших плотностях прямого тока и повышенных температурах. Исследование сдвига положения максимума излучения данной полосы с ростом температуры показывает, что она скорее всего обусловлена рекомбинацией свободного экситона.
Э.Е. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 6, 593 (1964)
M. Ikeda, T. Haykava, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
W. v. Munch, W. Kurzinger. Sol. St. Electron., 21, 1129 (1978)
В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 246 (1985)
М.М. Аникин, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 28, 284 (1994)
А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев. ФТП, 30, 17 (1996)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng., B11, 113 (1992)
M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. In: Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed by Z.C. Feng (World Scientic, Singapore) p. 280
A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond and Related Mater., 3, 1393 (1994)
А.А. Лебедев. ФТП, 30, 999 (1996)
А.М. Стрельчук. ФТП, 29, 1190 (1995)
H.R. Philipp, E.A. Taft. Silicon Carbide--a High Temperature Semiconductor, ed by J.R. O'Connor and J. Smiltens (Oxford--London--New York--Paris, Pergamon Press, 1960) p. 306
W.J. Choyke. Mater. Res. Bull., 4, S141 (1968)
А.Н. Пихтин, Д.А. Яськов. ФТТ, 12, 1597 (1970)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук