"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1, Zahn D.R.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute fur Physik, TU Chemnitz Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 28 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверхности и к формированию на ней сульфидного покрытия, так и к уменьшению приповерхностного барьера; при этом в n-GaAs поверхностный уровень Ферми смещается в направлении зоны проводимости, а в p-GaAs --- в направлении валентной зоны. Установлено, что по мере уменьшения диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастают как константа скорости реакции формирования сульфидов на поверхности, так и величина смещения поверхностного уровня Ферми; при этом смещение в n-GaAs составляет 0.53 эВ, а в p-GaAs 0.27 эВ при пассивации в растворе сульфида аммония в трет-бутаноле. Предложена модель, объясняющая эти экспериментальные результаты на основе учета реакционной способности сульфид-иона в растворе.
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  • L.A. Farrow, C.J. Sandroff, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett., 51, 1931 (1987)
  • C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C. Chang, J.P. Harbinson. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
  • G.J. Hughes, L. Roberts, M.O. Henry, K. McGuigan, G.M. O'Connor, F.G. Anderson, G.P. Morgan, T. Glynn. Mater. Sci. Eng. B, 9, 37 (1991)
  • P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A.A. Cafolla, L. Koenders, P. Bailey. Phys. Rev. B, 51, 14 237 (1994)
  • V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
  • H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  • H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci. 242, 335 (1991)
  • В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.К. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 1, 46 (1995)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  • В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ, 39, 63 (1997)
  • В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 22, вып. 18, 37 (1996)
  • G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, Berlin, 1996)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  • W. Haes, R. London. Scattering of Light by Crystals (Wiley, N.Y., 1978)
  • D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, Boca Raton, Ann Arbor, London, Tokio, 1995)
  • J. Geurts. Surf. Sci. Rep., 18, 1 (1993)
  • G.P. Schwartz, G.J. Gualtieri. J. Electrochem. Soc., 133, 1266 (1986)
  • N. Newman, W.E. Spicer, T. Kendelewicz, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 931 (1986)
  • G. Klopman. J. Amer. Chem. Soc., 90, 223 (1968)
  • J. Guo--Ping, H.E. Ruda. J. Appl. Phys., 79, 3758 (1996)
  • T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
  • K.N. Ow, X.W. Wang. Phys. Rev. B, 54, 17 661 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.