Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесного массопереноса

Байзер М.В.¹, Витухин В.Ю.¹, Закурдаев И.В.¹, Руденко А.И.¹

¹Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия

Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом дифракции медленных электронов исследована поверхность GaAs, отклоненная на 3^o от (001), при нагреве в вакууме до температуры T=550^oC в поле градиента температуры nabla T~=50 град/см. При отсутствии nabla T на поверхности образуется структура (1x4), которая сохраняется при отжиге в течение 1 ч. При наличии nabla T по направлениям [110] появляются дублеты, характерные для фасетированной поверхности. Аналогичная картина наблюдается после отжига кристаллов без nabla T при T=650/700^oC, когда становится заметным испарение машьяка. Рассчитана величина теплоты переноса атомов Q^*, которая составляет 2.3 эВ и близка к Q^* у переходных металлов, что связывается с эффектом фононного увлечения атомов.

A. Monakov, A. Shik. Abstracts of Invited Lectures of International Symposium "Nanostructures" (St. Petersburg, Russia, 1994) p. 159
В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.П. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
А.О. Голубок, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. ФТП, 28, 515 (1994)
А.О. Голубок, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. ФТП, 28, 904 (1994)
В.Ю. Витухин, И.В. Закурдаев, О.В. Киреева, А.И. Руденко. Изв. РАН. Сер. физ., 60, N 7, 180 (1996)
A.J. Van Bommel, J.E. Crombeen, T.G. Van Oirschat. Surf. Sci., 72, 95 (1978)
И.В. Закурдаев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 40, N 8, 1554 (1976).
M. Krishnamurthy, M. Wassermeier, D.R. Wiliams, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 62, 1922 (1993).
Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла (М., Энергоатомиздат, 1984) с. 124
В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969) с. 296
Дж. Драбл, Г. Голдсмит. Теплопроводность полупроводников (М., ИЛ, 1963) с. 266
H. Tokumoto, K. Miki, Y. Morito, T. Sato, M. Iwatsuki, M. Suzuki, T. Fukuda. Ultramicroscopy, 42--44, 816 (1992)
S. Nagata, T.A. Tanaka. J. Appl. Phys., 48, 940 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель