"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фазовые переходы, происходящие в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения
Лебедев Э.А.1, Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Получены и анализируются данные по фазовым переходам из упорядоченного в неупорядоченное состояние, происходящим за времена порядка микросекунд в микронных объемах халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-As-Te. Обсуждается связь структурных превращений, наблюдаемых при импульсном воздействии лазерного излучения, с обратимым фазовым переходом "полупроводник--металл", происходящим в сильном электрическом поле. Показано, что обратимый фазовый переход по проводимости может многократно происходить при температурах ~ 500/ 600 K, определенных ранее. Выявлено, что решающую роль в обратимых структурных превращениях играет существование при временах воздействия меньше микросекунд широкого диапазона мощностей лазерного излучения, в котором возможен многократный переход из кристаллического состояния в стеклообразное без разрушения материала. Показано, что наличие такого диапазона мощностей связано с явлением перегрева.
  • B.T. Kolomiets. Phys. St. Sol., 7, 359 (1964); Phys. St. Sol., 7, 713 (1964)
  • Б.Т. Коломиец. Вестн. АН СССР, 6, 54 (1969)
  • Б.Т. Коломиец. Тр. 6-й междунар. конф. аморф. и жидк. полупровод.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1975). с. 23
  • Б.Т. Коломиец. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Ленинград, 1981) с. 1
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  • A.D. Pearson, W.R. Nothover, I.F. Dewald, W.I. Peck. Advan. in Glass Technol. (N.Y., Plenum Press, 1962) p. 357
  • Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8, 2037 (1963)
  • S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  • C.H. Sie, M.P. Dugan, S.C. Moss. J. Non-Cryst. Sol., 8-10, 877 (1972)
  • Б.Т. Коломиец. Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, В.Х. Шпунт. ФТП, 7, 2045 (1973)
  • А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  • С.А. Костылев, В.А. Шкут. Электронное переключение в аморфных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1978)
  • Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Наука, 1996) с. 224
  • Г. Боухьюз, Дж. Браат. А. Хейсер, Дж. Пасман, Ван Розмален, К. Шухамер-Имминк. Оптические дисковые системы (М., Радио и связь, 1991)
  • К.К. Шварц. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках (Рига, Зинатне, 1986)
  • В.Х. Шпунт. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 300
  • Н.К. Киселева, В.И. Коченов, Э.А. Лебедев. ФТТ, 30, 1965 (1988)
  • Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, К.Д. Цендин. ФТП, 15, 304 (1981)
  • P.J. Walsh, R. Vogel, E.J. Evans. Phys. Rev., 178, 1274 (1969)
  • D.L. Thomas, J.C. Male. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 522 (1972).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.