Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование гипервалентных конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S и a-As₂S₃

Дембовский С.А.¹, Зюбин А.С.¹, Григорьев Ф.В.¹

¹Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено квантово-химическое моделирование структуры, параметров стабильности и электронного строения дефектов (деформационных, топологических, связевых) в a-S и a-As₂S₃. Установлено положение в запрещенной зоне локализованных состояний, соответствующих дефектам, в том числе возбуждаемых светом с энергией homega=< E_g. Показано, что общепринятая концепция пар с переменной валентностью (VAP) требует пересмотра по крайней мере в рассматриваемом случае, поскольку образование пары разделенных заряженных точечных дефектов типа C⁺₃ и C^-₁ требует слишком больших энергетических затрат. С другой стороны, по аналогии с a-Se, показано, что центры, соединенные сильной связью, могут сосуществовать в виде жестких VAP-диполей. Обнаружено существование нежестких метастабильных гипервалентных конфигураций (ГВК) в форме ГВК-диполей, которые нейтральны и диамагнитны в основном состоянии и лежат на шкале энергии ниже C⁰₁. Дефекты типа гипервалентных конфигураций дают возможность не только объяснить повышение координационного числа в некристаллическом состоянии по сравнению с их кристаллическими аналогами, но и обсудить ряд свойств, которые обусловлены такими дефектами. Обсуждается влияние ГВК и VAP-диполей на свойства стеклообразных полупроводников, в том числе их роль в фотоиндуцированных эффектах.

А.И. Губанов. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников (М.--Л., Изд. АН СССР, 1966)
S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 36, 1469 (1976)
P.V. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
M.I. Klinger. Phys. Repts., 165, 275 (1988)
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996); а --- К.Д. Цэндин, с. 68, б --- Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин, с. 263, в --- Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова, с. 141
Н.А. Попов. ФТП, 16, 344 (1982)
S.A. Dembovsky. Mater. Res. Bull., 16, 1331 (1981)
S.A. Dembovsky, E.A. Chechetkina. Phil. Mag. B, 53, 367 (1986)
С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина. Стеклообразование (М., Наука, 1990)
S.A. Dembovsky. Sol. St. Commun., 87, 179 (1993)
S.A. Dembovsky. Phys. Lett. A, 189, 233 (1994)
S.A. Dembovsky. In: Physics and Applications of Non-Crystalline Semiconductors in Optoelectronics, ed. by A. Andriesh and M. Bertolotti (Kluwer Acad. Publisher, 1997) p. 275
A.S. Zyubin, S.A. Dembovsky. Sol. St. Commun., 89, 335 (1994)
А.С. Зюбин, С.А. Козюхин, С.А. Дембовский. ЖНХ, 43, 650 (1998)
Ю.Г. Полтавцев. Структура полупроводниковых расплавов (М., Металлургия, 1984)
В.П. Захаров, В.С. Герасименко. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии (Киев, Наук. думка, 1976)
E.A. Chechetkina. J. Phys.: Cond. Matter., 7, 3099 (1995)
S.A. Dembovsky. J. Non-Cryst. Sol., 82, 761 (1992)
С.А. Дембовский. Физика и химия стекла, 20, 785 (1994)
D. Holh, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 43, 3856 (1991)
A.S. Zyubin, S.A. Dembovski. In: Glass Formation and Structure ( Proc. XVII Int. Congr. Glass) (Beijing, 1995), vol. 2, p. 408
А.С. Зюбин, О.А. Кондакова, С.А. Дембовский. Физика и химия стекла, 23, 86 (1997)
A.S. Zyubin, S.A. Dembovsky, O.A. Condakova. J. Non-Cryst. Sol. 224 (3), 291 (1998)
E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. J. Non-Cryst. Sol., 211, 197 (1997)
A.S. Zyubin, S.A. Dembovsky. Sol. St. Commun., 87, 175 (1993)
S.R. Elliot. Nature, 354, 445 (1991)
J.D.Joannopoulous, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 22, 2927 (1980)
J.D. Joannopoulos, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 27, 6311 (1983)
R.A. Street, A.D. Ioffe. J. Non-Cryst. Sol., 8, 745 (1972)
M. Frumar, A.P. Firth, A.E. Owen. Phil. Mag. B, 50, 463 (1984)
А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986). (Пер. с нем.: A. Feltz. Amorphe und glasartige anorganishe festkorper)
М.А. Paersler, G. Pfeifer. J. Non-Cryst. Sol., 137 \& 138, 967 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель