"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd--<пористый Si>
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd--p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией Nt~1.3·1013 см-3. При более высоких температурах преобладает диффузионный механизм с I~ exp(-qV/nkT) и n=10/20. Процессы релаксации обратного тока и фототока (восходящая ветвь) носят затяжной характер (до t~=100 с) и определяются влиянием ловушек с глубиной Et=0.80 эВ. Температурный ход фототока (без смещения) связан с рекомбинацией на уровне Er=0.12 и его величина в основном зависит от вклада базовой области диодной структуры.
  • C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80. 295 (1996)
  • F. Namavar, H.P. Maruska, N.M. Kalkhoran. Appl. Phys. Lett., 60, 2514 (1992)
  • С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 31, 15 (1977)
  • A. Rose. Phys. Rev., 97, 1538 (1955)
  • Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Наука, 1978) с. 73, 118--122
  • R.H. Bube. J. Appl. Phys., 34, 3309 (1963)
  • J. Wang. J. Appl. Phys., 75, 332 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.