"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение скорости поверхностной рекомбинации в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда
Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Варавин В.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.
  • G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger, S. Ron, Y. Shapira. J. Appl. Phys., 72, 2312 (1992)
  • Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
  • D.L. Lile. J. Appl. Phys., 41, 3480 (1970)
  • П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, В.Г. Ремесник. ФТП, 28, 2107 (1994)
  • V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Films, 267, 121 (1995)
  • П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин. ПТЭ, N 6, 157 (1995)
  • G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhays, K.H. Muller. Phys. Rev. B, 10, 3302 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.