Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.
G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger, S. Ron, Y. Shapira. J. Appl. Phys., 72, 2312 (1992)
Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
D.L. Lile. J. Appl. Phys., 41, 3480 (1970)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, В.Г. Ремесник. ФТП, 28, 2107 (1994)
V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Films, 267, 121 (1995)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин. ПТЭ, N 6, 157 (1995)
G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhays, K.H. Muller. Phys. Rev. B, 10, 3302 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.