"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства переключающих слоистых структур на основе пленочных фторидов редкоземельных элементов
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Представлены результаты исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ. Методами вольт-амперных и вольтъемкостных измерений определены особенности высокоомного и низкоомного состояний структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Показано, что характеристики низкоомного состояния рассматриваемой структуры описываются моделью структуры металл--туннельный диэлектрик--полупроводник.
  • S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  • J.R. Bosnell, C.B. Thomas. Sol. St. Electron., 15, 665 (1972)
  • G.S. Nadkarni, V.S. Shirodrar. Thin Sol. Films, 105, 115 (1983)
  • В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 18, 74 (1992)
  • В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27, 438 (1993)
  • В.А. Рожков, Н.Н. Романенко. Письма ЖТФ, 19, 6 (1993)
  • Vassilliki Bredimas. J. Appl. Phys., 75, 7922 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.