"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах
Бессолов В.Н.1, Лебедев М.В.1, Zahn D.R.T.2
1Физико-технический интитут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Physik, TU-Chemnitz,, Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 1 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, метода Кельвина и рамановского рассеяния изучались свойства поверхности n-InP (100), пассивированной сульфидом аммония, растворенным в воде или в трет-бутиловом спирте. Показано, что обе обработки приводят к уменьшению глубины приповерхностной обедненной области, к смещению поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости и к увеличению работы выхода электронов с поверхности и энергии ионизации полупроводника, причем обработка в спиртовом растворе дает более сильный эффект, чем обработка в водном растворе. При сульфидировании в спиртовом растворе поверхностный уровень Ферми смещается на 0.2 эВ, а энергия ионизации увеличивается на 0.53 эВ.
  • H. Ishimura, K. Sasaki, H. Tokuda. Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 405 (1990)
  • R. Iyer, D.L. Lile. Appl. Phys. Lett., 59, 437 (1991)
  • H. Oigawa, J. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  • T.K. Paul, D.N. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991)
  • A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1063 (1994)
  • L.F. DeChiaro, C.J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 561 (1992)
  • C.W. Wilmsen, K.M. Geib, J. Shin, R. Iyer, D.L. Lile, J.J. Pouch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 851 (1989)
  • Y. Fukuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, T. Ohsawa. J. Appl. Phys., 76, 3059 (1994)
  • R.W.M. Kwok, W.M. Lau. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 2515 (1992)
  • T. Chasse, H. Peisert, P. Streubel, R. Szargan. Surf. Sci., 331--333, 434 (1995)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Eng. B, 44, 380 (1997)
  • R. Hakimi, M.-C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  • C.S. Sundararaman, S. Poulin, J.F. Currie, R. Leonelli. Can. J. Phys., 69, 329 (1991)
  • R. Maeckel, H. Baumgaertner, J. Ren. Rev. Sci. Instrum., 64, 694 (1993)
  • D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, Boca Raton, Ann Arbor, London, Tokyo, 1995)
  • G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, Berlin, 1996)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  • W. Haes, R. Loudon. Scattering of Light by Crystal (Wiley, N.Y., 1978)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989)
  • W.M. Lau, R.W.M. Kwok, S. Ingrey. Surf. Sci., 271, 579 (1992)
  • Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys. Lett., 60, 2669 (1992)
  • I.K. Han, E.K. Kim, J.I. Lee, S.H. Kim, K.N. Kang, Y. Kim, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Pys., 81, 6986 (1997)
  • H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  • J. Geurts. Surf. Sci. Rep., 18, 1 (1993)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci. Eng. B, 44, 376 (1997)
  • Z. Tian, M.W.C. Dharma-wardana, Z.H. Lu, R. Cao, L.J. Lewis. Phys. Rev. B, 55, 5376 (1997)
  • L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. J. Phys., 70, 1050 (1992)
  • W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1216 (1989)
  • V.N. Bessolov, A.F. Ivankov, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1018 (1995).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.