"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO--n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характеристики гетероструктур, представляющие интерес для оценки практического использования.
  • M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin sol. films, 96, 149 (1982)
  • K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
  • W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
  • U.Nin, T. Matsuda, H. Sadamtzu, M. Takai. J. Appl. Phys., 53, 457 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.