"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si : Er : O-светоизлучающих структур
Соболев Н.А.1, Емельянов А.М.2, Николаев Ю.А.1, Вдовин В.И.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Рассмотрено влияние ориентации кремния на структурные и люминесцентные свойства лавинных светодиодов, изготовленных методом соимплантации эрбия и кислорода и последующей твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя. Люминесцентные свойства обусловлены формированием различных структурных дефектов в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации: в (100) Si : Er : O-слоях образуются V-образные дислокации и преципитаты эрбия, а в (111) Si : Er : O-слоях наблюдаются более крупные структурные дефекты--двойники и увеличение концентрации дислокаций более чем на 4 порядка по сравнению с ориентацией (100). Проведено также сравнение люминесцентных свойств лавинных и туннельных светодиодов. В отличие от туннельных диодов в лавинных диодах эрбиевые ионы возбуждаются во всей области объемного заряда, а эффективное сечение возбуждения ионов Er3+ и время их жизни в возбужденном состоянии в 3--4 раза выше.
  • F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.S. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc. 301, 87 (1993)
  • B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling, D.S. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  • G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  • S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, A. Polman, S. Libertino, M. Saggio, A. Carnera. Nucl. Instrum. Meth., B106, 386 (1995)
  • G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett., 69, 2077 (1996)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Nikolaev, K.F. Shtel'makh, Yu.A. Kudryavtsev, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1527 (1997) (19th Int. Conf. on Defects in Semicond., Aveiro, Portugal, July 21--25, 1997)
  • A.M. Emel'yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett., 72, 1223 (1998)
  • Н.А. Соболев, Ю.А. Николаев, А.М. Емельянов, К.Ф. Штельмах, А.Н. Якименко, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. Матер. Всерос. совещ. "Наноструктуры на основе кремния и германия" (Н. Новгород, 10--13 марта 1998) с. 89
  • N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. of Luminesc., 80, 315 (1998)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, S.V. Gastev, P.E. Khakuashev, Yu.A. Nikolaev, M.A. Trishenkov. MRS Symp. Proc., 486, 139 (1998)
  • A.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev., 102, 369 (1956)
  • Л.А. Косяченко, Е.Ф. Кухто. В.М. Склярчук. ФТП, 18, 426 (1984)
  • J. Bude, N. Sano, A. Yoshii. Phys. Rev. B, 45, 5848 (1992)
  • L. Carbone, R. Brunetti, A. Lacaita, M. Fischetti. Semicond. Sci. Technol., 9, 674 (1994)
  • T. Puritis, J. Kaupzs. Proc. 21st Int. Conf. on Microelectronics (NIS, Yugoslavia, Sept. 14--17, 1997) v. 1, p. 161
  • E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Engin., 39, 103 (1997)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73, 93 (1998)
  • J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)
  • F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Carnera. Phys. Rev. B, 57, 4443 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.