Исследованы спектры фотолюминесценции и поведение структурных дефектов в слоях, полученных имплантацией ионов Er и Dy с энергией 1.0-1.8 МэВ и дозой 1·10¹³ см^-2, после отжига при температуре 1000-1200^oC в течение 0.5-1 ч в аргоне или хлорсодержащей атмосфере. Для изучения структурных дефектов использовались методы просвечивающей электронной микроскопии и химического селективного травления. Наблюдалось, что при отжиге в хлорсодержащей атмосфере в спектрах люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy доминируют линии, связанные с образованием краевых дислокаций, а при отжиге в аргоне слоев Si : Er - линии, обусловленные наличием эрбия. Сравнительный анализ спектров люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy показал, что наибольшая интенсивность дислокационной люминесценции достигается в структурах, полученных имплантацией ионов эрбия. Выявлено существенное влияние собственных точечных дефектов на структурные и оптические свойства кремния, имплантированного эрбием и диспрозием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.