Исследовались условия внедрения As в слои GaN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что осаждение GaAs на поверхность GaN приводит к снятию напряжений в слое GaN. Заращивание тонкого слоя GaAs слоем GaN при высокой температуре приводит к диффузии атомов As в GaN, вызывает формирование толстой однородно легированной области GaN : As и обусловливает появление в спектре фотолюминесценции интенсивной полосы с максимумом при ~ 2.5 эВ.
D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 73, 830 (1998)
L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 70, 3558 (1997)
L.J. Guido, P. Mitev, M. Gherasimova, B. Gaffey. Appl. Phys. Lett., 72, 2005 (1998)
R.D. Dupuis. J. Cryst. Growth, 178, 56 (1997)
W.V. Lundin, A.S. Usikov, U.I. Ushakov, M.V. Stepanov, B.V. Pushnyi, N.M. Shmidt, V. Tret'yakov, M.V. Maximov, A.V. Sakharov. EW MOVPE VII, Workshop Booklet (Berlin, 1997), F10
J.C. Zopler, M.H. Crafword, J. Howard, J. Ramer, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
X. Li, S. Kim, E.E. Reuter, S.G. Bishop, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., 72, 1990 (1998)