Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 12 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик кремниевых переключающих структур металл-диэлектрик-полупроводник, где в качестве диэлектрика используются фториды церия, диспрозия или эрбия. Показано, что в состоянии с низким сопротивлением их фотоэлектрические характеристики аналогичны характеристикам структуры металл-<туннельный диэлектрик>-полупроводник, в частности реализуется механизм инжекционного усиления фототока.
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 18(5), 74 (1992)
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27, 438 (1993)
- В.А. Рожков, Н.Н. Романенко. Письма ЖТФ, 19(22), 6 (1993)
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 24(16), 92 (1998)
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 32, 1349 (1998)
- А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15, 142 (1981)
- А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдашов, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
- А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, С.В. Козырев. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи (Л., Наука, 1986) с. 105
- А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, К.В. Санин, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1471 (1983)
- А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1361 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук