Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация фотоемкости в аморфных пленках As2Se3
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова 
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
В релаксации фотоемкости пленок a-As2Se3 обнаружены быстрая и медленная компоненты. Они приводят к двум спектрам плотности и сечений поглощения глубоких состояний, различающихся порогами и величиной. Быстрая компонента релаксации связывается с фотоэмиссией дырки с центра D+; обсуждается возможная природа медленной компоненты.
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1996)
- G.J. Adriaenssens. Phil. Mag. B, 62, 79 (1990)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- S.D. Shutov, A.A. Simashkevich. J. Non-Cryst. Sol., 176, 253 (1994)
- M. Kuhn. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
- R.A. Street. Phys. Rev. B, 17, 3984 (1978)
- G.J. Adriaenssens, M. Hammam, H. Michiel, J.M. Marshall. Sol. St. Commun., 45, 465 (1983)
- S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor. Phys. Rev. B, 15, 2278 (1977)
- J. Tauc, A. Menth. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 569 (1972)
- D. Monroe, M.A. Kastner. Physica of Disordered Materials (N.Y.--London, 1985) p. 553
- J.A. Freitas, Jr., U. Strom, S.G. Bishop. Phys. Rev. B, 35, 7780 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
