"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение концентрации U--центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Se--As при легировании металлами и галогенами
Казакова Л.П.1, Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Исследованы температурные зависимости дрейфовой подвижности электронов и дырок в халькогенидном стеклообразном полупроводнике состава Se95As5 без примесей и с примесями Ag и Br. Полученные данные указывают на то, что локализованными состояниями, контролирующими перенос носителей заряда, являются U--центры и изменение величины дрейфовой подвижности при легировании обусловлено изменениями концентрации этих центров. Проведенная оценка концентраций положительно и отрицательно заряженных собственных дефектов показала, что их значения близки и составляют ~1016 см-3 в стеклах состава Se95As5 без примесей и изменяются в интервале 1013/1017 см-3 при легировании Ag, Br и Cl. Установлено, что наиболее сильно (на 2/3 порядка) изменяют концентрацию U--центров примеси галогенов. Анализ полученных данных показал, что количество электрически активных атомов примесей Br и Cl в Se95As5 составляет 1%, а примеси Ag --- 10-2%.
  • P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 37, 953 (1975)
  • R.A. Street. N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  • N.F. Mott, E.A. Davis, R.A. Street. Phil. Mag. B, 32, 961 (1975)
  • M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
  • H. Fritzsche, M. Kastner. Phil. Mag. B, 37, 285 (1978)
  • Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  • B.P. Popov, K.D. Tsendin. Techn. Phys. Lett., 24, 265 (1998)
  • A.S. Alexandrov, J. Ranninger. Phys. Rev. B, 23, 1726 (1981)
  • N.F. Mott. Physica C, 205, 191 (1993)
  • B.K. Chakraverty, J. Ranninger, D. Feinberg. Phys. Rev. Lett., 81, 433 (1998)
  • A.S. Alexandrov. Phys. Rev. B, 53, 2863 (1996)
  • E. Montrimas, A. Pazera, J. Viscakas. Phys. St. Sol. (a), 3, K199 (1970)
  • F.D. Fisher, J.M. Marshall, A.E. Owen. Phil. Mag. B, 33, 261 (1976)
  • E.A. Lebedev, L. Toth, L.N. Karpova. Sol. St. Commun., 36, 139 (1980)
  • Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) гл. 4, с. 171
  • W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
  • А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1969) с. 140
  • Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев. ФТП, 32, 803 (1998)
  • G. Pfister, M. Morgan. Phil. Mag. B, 41, 209 (1980)
  • В.Л. Аверьянов, Л.П. Казакова, С.С. Лантратова, Э.А. Лебедев, О.Ю. Приходько. ФТП, 17, 928 (1983)
  • Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.