"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние локальных колебаний на концентрацию атомов H и D на поверхности Si
Ипатова И.П.1, Чикалова-Лузина О.П.1, Хесс К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет штата Иллинойс, Институт Бекмана, Урбана, США
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Вычислены равновесные поверхностные концентрации пассивирующих адатомов для кристалла кремния, находящегося в равновесии с газом водорода H2 или D2. Различие поверхностных концентраций адатомов H и D определяется разницей их поверхностных локальных колебаний. Равновесные поверхностные концентрации дейтерия оказываются на порядок больше поверхностных концентраций водорода.
  • S.L. Cunnigham, L. Dobrzynski, A.A. Maradudin. Phys. Rev. B, 7, 4643 (1997)
  • E.W. Montroll, A.A. Maradudin, G.H. Weiss, I.P. Ipatova. Theory of Lattice Dynamic (Academic Press, N. Y.--London, 1971)
  • L. Miglio, P. Ruggerone, G. Benedek. Physica Scripta 37, 768 (1988)
  • V.A. Burrows, Y.J. Chabal, G.S. Higashi, K. Raghavachary, S.B. Christman, Appl. Phys. Lett., 53, 998, (1988)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) т. V, гл. IX
  • I.C. Kizilyalli, J.W. Lyding, K. Hess. IEEE Electron Dev. Lett., 18, 81 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.