В работе рассмотрены некоторые аспекты физики гетерополитипных переходов на основе карбида кремния. Известно, что введение некоторых примесей в зону роста при эпитаксии карбида кремния приводит к росту пленок, имеющих другой политип, чем исходная подложка. Известно также, что эти примеси приводят к образованию определенных глубоких центров в запрещенной зоне проводника. Проведенный в настоящей работе анализ литературных данных показывает, что к образованию этих глубоких центров приводит также облучение SiC различными заряженными частицами. Высказывается предположение, что при определенных условиях эксперимента возможна трансформация политипа уже выращенной эпитаксиальной структуры SiC под воздействием облучения и последующего отжига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.