И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17(7), 44 (1991) [Sov. Tech. Phys. Lett., 17(7), 476 (1991)]
Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28(2), 1411 (1994) [Semiconductors, 28(8), 793 (1994)]
H. Kroemer. In: A.G. Milns, J.J. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (N.Y., Academic Press, 1972)
W.T. Read. Bell. Syst. Techn. J., 37, 401 (1958)
E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Proc. 21st Int. Conf. on Microelectronics (MIEL'97), Sept. 14--17 1997 (Nish, Yugoslavia) v. 1, p. 227. Publish. Elect. Dev. Soc. IEEE, IEEE Catalog N 97TH8232 (1997)
E.V. Ostoumova, A.A. Rogachev. In: Fundamental Aspects of Unltrathin Dielectrics on Si- Based Devices: Towards an Atomic-Scale Understanding. NATO Science Series, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht (Boston--London, 1998) p. 383
E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Microelectronics J., 29, 701 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.