Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Применение сверхбыстрого (102-103 oC / c) охлаждения раствора--расплава в жидкофазной эпитаксии полупроводников
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Применение сверхвысокой (102-103 oC / с) скорости охлаждения раствора-расплава существенно расширяет возможности метода жидкофазной эпитаксии. На примере систем Al-Ga-As показано влияние сверхбыстрого охлаждения на основные параметры выращиваемых слоев, такие как толщина, состав и концентрация носителей. Рассмотрены возможности метода для получения различных полупроводниковых гетроструктур с сильным (вплоть до 12%) рассогласованием параметров решеток контактирующих материалов.
- A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 11, 607 (1996)
- A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1815 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
