Применение сверхвысокой (10²-10^{3 o}C / с) скорости охлаждения раствора-расплава существенно расширяет возможности метода жидкофазной эпитаксии. На примере систем Al-Ga-As показано влияние сверхбыстрого охлаждения на основные параметры выращиваемых слоев, такие как толщина, состав и концентрация носителей. Рассмотрены возможности метода для получения различных полупроводниковых гетроструктур с сильным (вплоть до 12%) рассогласованием параметров решеток контактирующих материалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.