"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1, Степанова Н.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Рассмотрено стационарное и нестационарное фотонапряжение, возникающее в многослойной структуре с p-n-переходами при неоднородной засветке, для произвольного соотношения длины диффузионного смещения L и размеров p- и n-областей d. Показано, что при d<< L из-за взаимного влияния соседних p-n-переходов фотонапряжение существенно меньше (в d2/12L2 раз), чем при обратном смещении. Релаксация фотонапряжения определяется перезарядкой барьерных емкостей p-n-переходов и на несколько порядков превышает время жизни неравновесных носителей зарадя в p- и n-областях. Полученные результаты применимы к объяснению особенностей эффекта аномального фотонапряжения в поликристаллических пленках.
  • Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 5(7), 1415 (1971)
  • Э.И. Адирович. ФТП, 4(4), 745 (1970)
  • Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ДАН, 188, 1254 (1969)
  • И.А. Карпович, М.В. Шилова. Изв. вузов. Физика, 4, 128 (1969)
  • В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel. ФТП, 32(2), 221 (1998)
  • В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
  • В.Н. Агарев, В.И. Стафеев. Радиотехника и электроника, 22(1), 169 (1977)
  • В.Н. Агарев, В.И. Стафеев. Радиотехника и электроника, 22(11), 2335 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.