Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя
Гавриловец В.В.1, Бондаренко В.Б.1, Кудинов Ю.А.1, Кораблев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
В модели полностью обедненного слоя получены аналитические зависимости равновесных распределений мелкой примеси, электрического поля и потенциала в приповерхностной области полупроводника. Результаты расчета были применены для оценки изменения параметров структуры конечного размера. Получено, что в данном приближении возможно уменьшение концентрации электрически активных дефектов в несколько раз для полупроводниковых слоев толщиной ~1 мкм.
- В.С. Кузнецов, В.Б. Сандомирский. Кинетика и катализ, 3, 724 (1962)
- W. Nuyts, R. Van Overstraeten. Phys. St. Sol. (a), 15, 329 (1973)
- R.Sh. Malkovich, V.A. Pokoeva. Phys. St. Sol. (a), 48, 329 (1978)
- R. Shrivastava, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 23, 73 (1980)
- O. Hildebrand. Phys. St. Sol. (a), 72, N 2, 575 (1982)
- Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987) c. 157
- Дж.П. Старк. Диффузия в твердых телах (М., Энергия, 1980) с. 39
- П.В. Ковтуненко. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами (М., Высш. шк., 1993) с. 258
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) с. 216
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук