Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) А, (111) В
Галиев Г.Б.1, Каминский В.Э.1, Мокеров В.Г.1, Неволин В.К.2, Сарайкин В.В.1, Слепнев Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский институт электронной техники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) A, (111) B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время анализа методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при анализе методом масс-спектрометрии вторичных ионов, так и с ускоренной диффузией Si по дефектам роста.
- W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 326 (1985)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henin, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
- В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32, 1320 (1998)
- Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Hishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. Japan. J. Appl. Phys., 28, N 2, L151 (1989)
- Y. Kadoya, A. Sato, H. Kano. J. Cryst. Growth, 111, 280 (1991)
- Ph. Jansen, M. Meuris, M. Van Rossum, G. Borgs. J. Appl. Phys., 68, 3766 (1990)
- E.F. Schubert, J.B. Stark, T.H. Chiu, B. Tell. Appl. Phys. Lett., 53, 293 (1988)
- K.H. Lee, D.A. Stevenson, M.D. Deal. J. Appl. Phys., 68, 4008 (1990)
- L. Pavesi, N.H. Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
- R.B. Beall, J.B. Clegg, J.J. Harris. Semicond. Sci. Technol., 3, 612 (1988)
- A.-M. Lanzillotto, M. Santos, M. Shayegan. Appl. Phys. Lett., 55, 1445 (1989)
- Mark E. Greiner, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 44, 750 (1984)
- A. Ishitani, A. Karen, Y. Nakagawa, M. Uchida, M. Hatada, K. Okuno, F. Soeda. Proc. SIMS VIII (Amsterdam, The Netherlands, 1991) p. 315
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук