Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнетосопротивление компенсированного Ge : As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металл--изолятор
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Изучено магнетосопротивление (МС) сильно легированного и компенсированного Ge : As вблизи перехода металл-изолятор как на металлической, так и на изоляторной его стороне. Измерения проводились на сверхвысоких частотах, для чего была использована бесконтактная техника электронного парамагнитного резонанса. Полевые и температурные зависимости производной МС в металлических образцах выявляют две главные особенности эффекта: отрицательное МС в слабых полях, возникающее в результате слабой локализации, и положительное МС в сильных полях, возникающее в результате взаимодействия электронов в диффузионном канале. В изоляторных образцах наблюдается только слабое отрицательное МС с поведением, характерным для слабых полей. Результаты сравниваются с теорией квантовых поправок.
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron--electron interaction in disordered сonductors. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, ed. by V.M. Agranovich and A.A. Maradudin, vol. 10. Electron--Electron Interaction in Disordered Systems, vol. editors: A.L. Efros, M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, Oxford, Tokio, 1985) p. 1
- Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23(1), 1 (1989). [In transl.: Sov. Phys. Semicond, 23, 1 (1989)]
- B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
- M.E. Reikin, J. Czingon, Qin-Yi Ye, F. Koch et al. Phys. Rev. B, 45, 6015 (1992)
- Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.В. Шамшур. ЖЭТФ, 107, 2063 (1995)
- H.L. Zhao, B.Z. Spivak, M.P. Gelfand, S. Feng. Phys. Rev. B, 44, 10 760 (1991)
- A. Kurobe, H.J. Kamamura. Phys. Soc. Japan, 51, 1904 (1982)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Ж. Бискупски. ФТП, 32, 557 (1998)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП (в печати)
- А.Г. Забродский. ФТП, 14, 1130 (1980)
- А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- A.N. Ionov, I.S. Shlimak. Hopping Conduction in Heavily Doped Semiconductors. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier North-Holland, 1991) p. 397
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
