Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокочастотные свойства лавинного умножения фотоносителей в структурах с отрицательной обратной связью

Бурбаев Т.М.¹, Курбатов В.А.¹, Курочкин Н.Е.², Холоднов В.А.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²ГНЦ РФ НПО "Орион", теоретический отдел, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 14 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы высокочастотные характеристики фоточувствительных лавинных структур Si-SiC. Показано, что их быстродействие существенно выше, чем быстродействие кремниевых лавинных фотодиодов. Проведен теоретический анализ высокочастотных свойств лавинных фотодиодов, получены аналитические выражения для произведения ширины полосы на коэффициент усиления. Показано, что для структур типа металл-диэлектрик-полупроводник с отрицательной обратной связью это произведение не является универсальным параметром, поскольку при высоких коэффициентах усиления эффективная величина отношения коэффициентов ударной ионизации различными типами носителей заряда в таких структурах оказывается существенно иной, чем в лавинных фотодиодах.

R. McIntyre. J. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13 (1), 164 (1966)
Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов. КСФ ФИАН (1994) вып. 11--12, с. 38
N. Bacchetta, D. Bisello, Z. Sadygov et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. (A), 387 (1--2), 225 (1997)
Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. КСФ ФИАН, (1990) вып. 4., с. 19
А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Т.И. Осина, Н.Н. Соловьев. ФТП, 29 (7), 1220 (1995)
Н.Е. Курочкин, В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 25 (9), 70 (1999)
T. Kaneda et al. J. Appl. Phys., 47, 4960 (1976)
R.B. Emmons. J. Appl. Phys., 38, 3705 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель