Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах

Абрамов И.И.¹, Новик Е.Г.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты теоретического исследования предельных параметров (рабочей температуры, граничной частоты) и вольт-амперной характеристики одноэлектронных транзисторов на основе различных соединений металлов (Al/AlO_x/Al, Al/SiO₂/Al, Au/Al₂O₃/Au, Nb/Al₂O₃/Nb, Ti/TiO_x/Ti, Cr/Cr₂O₃/Cr, Nb/NbO_x/Nb). Сформулированы рекомендации по выбору материалоов и размеров структуры, которые могут использоваться на практике. Расчеты характеристик проводились с использованием созданного комплекса программ моделирования структур на эффекте одноэлектронного туннелирования SET-NANODEV по разработанным методике оценки предельных характеристик и двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора.

Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret. [NATO ASI Series B: Physica (N. Y., Plenum, 1992) v. 294]
Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1998)
Intern. Int. J. Electron., 86(5) (1999)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 33(11), 1388 (1999)
И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Е.Г. Новик. Письма ЖТФ, 24(8), 16 (1998)
И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.С. Ивашкевич, Е.Г. Новик. Матер. 7-й межд. крымской микроволновой конф., КрыМиКо'97 (Севастополь, 1997) с. 398
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, 2000)
R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 72(1), 61 (1998)
J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 34(6), 1793 (1963)
J. Shirakashi, K. Matsumoto, N. Miura, M. Konagai. Japan. J. Appl. Phys., 36(9A/B), L1257 (1997)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Матер. 9-й межд. крымской микроволновой конф., КрыМиКо'99 (Севастополь, 1999) с. 292

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель