Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки

Бессолов В.Н.¹, Жиляев Ю.В.¹, Заварин Е.Е.¹, Компан М.Е.¹, Коненкова Е.В.¹, Усиков А.С.¹, Федирко В.А.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия Moscow State Technological University STANKIN, Moscow, Russia

Moscow State Technological University STANKIN, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 26 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN (0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.

M.S. Shur, M.A. Khan. In: Semiconductors and Semimetals (1999) v. 57, ch. 10, p. 407
Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry, ed. by H. Katscher, B. Mohsin (Springer, Berlin, 1996) suppl. v. C2, p. 181
M.S. Minsky, M. White, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996)
N.V. Edwards, M.D. Bremser, T.W. Weeks Jr., R.S. Kern, R.F. Davus, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett., 69, 2065 (1996)
J.L. Weyher, S. Muller, I. Grzegory, S. Porowski. J. Cryst. Growth, 182, 17 (1997)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
Yu.V. Zhilyaev, M.E. Kompan, E.V. Konenkova, S.D. Raevskii. MRS-NSR: Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.14 (1998)
J.K. Kim, J.L. Lee, J.W. Lee, Y.J. Park, T. Kim. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (2), 497 (1999)
J.S. Jang, S.-J. Park, I.Y. Seong. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (6), 2667 (1999)
X.A. Cao, S.J. Pearton, G. Dang, A.P. Zhang, F. Ren, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75 (26), 4130 (1999)
W.V. Lundin, A.S. Usikov, B.V. Pushnyi, U.I. Ushakov, M.V. Stepanov, N.M. Shmidt, A.V. Sakharov, Yu.M. Zadiranov, S.M. Suturin, V. Busov. Mater. Sci. Forum, 264, 1125 (1998)
М.Е. Компан, И.Ю. Шабанов. ФТТ, 39 (7), 1030 (1997)
S. Strie, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1237 (1992)
N. Dyakonova, A. Dickons, M.S. Shur, R. Gaska, J.W. Yang. Appl. Phys. Lett., 72, 2562 (1998)
Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Piquette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3276 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель