Исследован избыточно-туннельный ток в эпитаксиальных невырожденных p-n-переходах из GaP на подложках GaP и Si. Обнаружен существенный экспериментальный факт - независимость наклона экспоненциальной вольт-амперной (I-V) характеристики (в координатах ln I-V) от ширины области пространственного заряда, т. е. от уровня легирования n- и p-областей, что не объясняется существующими моделями. Предложена модель дислокационного шунта: многопрыжковое туннелирование по дислокационной линии, представленной цепочкой параболических барьеров. Плотность дислокаций, вычисленная по этой модели, соответствует величине, определенной методом просвечивающей электронной микроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.