Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Новый материал для активной области приборов сине-зеленого спектрального диапазона --- BeCdSe
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Лаборатория физики полупроводников Университета г. Ульма, Ульм, Германия
2Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Лаборатория физики полупроводников Университета г. Ульма, Ульм, Германия
Поступила в редакцию: 11 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
С использованием метода субмонослойной циклической эпитаксии впервые получен объемный слой твердого раствора BeCdSe толщиной 100 нм с концентрацией бериллия, близкой к 46%, что соответствует составу, согласованному по параметру решетки с подложкой GaAs. Также впервые получена низкотемпературная лазерная генерация на длине волны 460 нм с пороговой плотностью мощности около 40 кВт/см3 в структуре с множественными квантовыми ямами ZnSe/BeCdSe. Величина параметра прогиба зон в твердых растворах BeCdSe оценена в 4.5 эВ.
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 76(1), 22 (2000)
- E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, A. Kijima, A. Ishibashi. Electron. Lett., 34, 282 (1998)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, G. Reuscher, M. Keim, F. Bensing, A. Waag, G. Landwehr, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 214/215, 109 (2000)
- C. Verie. J. Elecron. Mater., 27(6), 782 (1998)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, O.V. Nekrutkina, V.A. Kaygorodov, P.S. Kop'ev, G. Reuscher, A. Waag, G. Landwehr. Phys. St. Sol. ( a), 180, 275 (2000)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
- R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
- R. Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G.C. La Rocca, K. Ploog. Phys. Rev. B, 42, 3209 (1990)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 498 (1999)
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
- T. Peng, J. Piprek, G. Qui, J.O. Olowolafe, K.M. Unruh, C.P. Swann, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 71(17), 2439 (1997)
- H.J. Lozykovski, V.K. Shastri. J. Appl. Phys., 69, 3235 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
