Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур из вольт-фарадных характеристик
Иванкив И.М.1, Яфясов А.М.1, Божевольнов В.Б.1, Перепелкин А.Д.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространственного заряда, позволяет найти значение x в приповерхностном слое полупроводника на глубине, соизмеримой с дебаевским радиусом экранирования. Представлены результаты определения стехиометрического состава четырех образцов Hg1-xCdxTe (x=0.205, 0.245, 0.290, 0330).
- P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
- В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
- A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. Appl. Surf. Sci., 142, 629 (1999)
- O.E. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
- И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук