Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Исследована структура дна зоны проводимости в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных на подложках из диоксида кремния, по зависимости электропроводности от температуры в области собственной проводимости. В неоднородных полупроводниках в области собственной проводимости линейная зависимость Insigma=f(103/T) может наблюдаться с разными углами наклона. Из средних значений Delta E1,Delta E2,...,Delta En определена величина уровня протекания, которая составляет в среднем 0.165 эВ для поликристаллических пленок и 0.2 эВ для перекристаллизованных.
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. УФН, 117, 401 (1975)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Наука, 1990)
- Ю.А. Никольский. ФТП, 24, 1322 (1990)
- Ю.А. Никольский. ФТП, 28, 1972 (1994)
- Ю.А. Никольский, С.Е. Зюзин. Вестн. ВГТУ. Сер. Материаловедение (Воронеж, Изд-во ВГТУ, 1998) с. 90
- Ю.А. Никольский. В.В. Поляков. Сб. науч. тр. Борисоглебского пед. ин-та (1996) с. 76
- В.А. Касьян, П.И. Кетруш, Ю.А. Никольский, Ф.И. Пасечник. Тонкие пленки антимонида индия (Кишинев, Штиница, 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук