Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se
Зыков В.А.1, Гаврикова Т.А.1, Ильин В.И.1, Немов С.А.1, Савинцев П.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Исследована зависимость холловской концентрации носителей тока от концентрации висмута n,p=f(NBi) в пленках PbSe : Bi : Se / BaF2. Пленки получены конденсацией в вакууме из двух независимых молекулярных потоков (PbSe : Bi и Se2), которые смешивались непосредственно на поверхности подложки (111)BaF2, нагретой до 350oC. Концентрация висмута NBi в шихте составляла 0-0.3 ат%. На экспериментальной зависимости n,p=f(NBi) выделены два участка. При NBi>0.0375 ат% концентрация электронов близка к NBi; при малых концентрациях висмута (NBi<0.0375 ат%) наблюдается нарушение линейного хода зависимости n=f(NBi) и переход к проводимости дырочного типа. Все исследованные легированные пленки были насыщены селеном. Это условие является обязательным для получения наибольших концентраций электронов в пленках при NBi, соответствующих линейному участку зависимости n=f(NBi). Полученные результаты обсуждаются в рамках термодинамической модели взаимодействия примеси с собственными дефектами в селениде свинца, учитывающей амфотерное поведение Bi в PbSe.
- G. Nimtz, B. Sehlieht. Narrow. Gap. lead salts (Springer Verlag, Berlin Heidelbery, N. Y.--Tokyo, 1983)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 360 (1994)
- Н.С. Ратова, В.И. Фистуль. ФТП, 4, 1109 (1970)
- В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Н.П. Серегин, А.В. Ермолаев, С.И. Бондаровский. ФТП, 33, 913 (1999)
- В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин, Н.Н. Троицкая, С.И. Бондаровский. ФТП, 33, 1321 (1997)
- Н.С. Голованова, В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, Л.Д. Личева. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20 (4), 574 (1984)
- T.C. Harman. J. Nonmetals, 1, 183 (1973)
- Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, В.П. Максенко, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 18, 489 (1984)
- Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, С.А. Немов. ФТП, 29, 309 (1995)
- A.V. Novoselova, V.P. Zlomanov. Cur. Top. Mater. Sci., 7, 643 (1981)
- В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках (М., Металлургия, 1992)
- Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28, 1505 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук