Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические явления в гетероструктурах (mu c_xa_1-x)-Si : H / c-Si

Mell H.¹, Николаев Ю.А.², Рудь В.Ю.³, Рудь Ю.В.², Теруков Е.И.²

¹Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 11 апреля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом плазмохимического осаждения получены гетероструктуры (mu c_xa_1-x)-Si : H / c-Si с различным объемным соотношением x микрокристаллической и аморфной фаз кремния. Вариация соотношения достигалась путем изменения концентрации силана в водороде. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении в зависимости от фазового состава тонких (d₁=~0.6-0.8 мкм) пленок микрокристаллической и аморфной фаз кремния. Обнаружен фотовольтаический эффект и наведенный фотоплеохроизм полученных структур. Сделан вывод о перспективах применения нового типа гетеропереходов в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучений.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
N. Koshida, H. Koyama. Appl. Phys. Lett., 60, 347 (1992)
Y. He, C. Yin, G. Geng, L. Wang, X. Liu, G.Y. Hu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
E.I. Terukov, V.Kh. Kudoyarova, V.Yu. Davydov, K.V. Koughia, G. Weiser, H. Mell. Mater. Sci. Engin. B, 69--70, 266 (2000)
X.N. Liu, X.W. Wu, X.-M. Bao, Y.L. He. Appl. Phys. Lett., 64, 220 (1994)
D. Ruff. Elektrischer Transport in mikrokristallen Silizium. (Philips--University, Marburg, 1999)
С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 39, 18 (1992)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1998)
Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 1611 (1993)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Shock. Semicond. Sci. Technol., 15, 625 (2000)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель