"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами
Митрохин В.И.1, Рембеза С.И.1, Свиридов В.В.2, Ярославцев Н.П.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано воздействие оптического излучения на внутреннее трение, связанное с электронно-механической релаксацией на глубоких уровнях в пьезополупроводниках. Установлено, что поведение внутреннего трения сильно зависит от интенсивности, длины волны излучения и температуры образца. На спектральной зависимости внутреннего трения имеется аномальный пик в области фундаментального поглощения, который ассоциируется с вытеснением области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения света. Предложена модель, связывающая медленную релаксацию с термическим опустошением центров прилипания.
  • В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев. ФТТ, 27, 2081 (1985)
  • V.I. Mitrokhin, S.I. Rembeza, V.V. Sviridov, N.P. Yaroslavtsev. Phys. St. Sol. (a), 119, 535 (1990)
  • А.Н. Александров, М.И. Зотов. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1979)
  • В.И. Митрохин, Н.П. Ярославцев, С.И. Рембеза, Г.С. Песоцкий, Н.В. Измайлов. А.с. СССР N 1054742, G01N 11/16 (1983)
  • Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.