"LO-фононная" корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции и особенностями спектра поглощения света в GaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных пикосекундным импульсом света
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1, Кумеков С.Е.2, Стеганцов С.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Алматинский технологический университет, Алматы, Республика Казахстан
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Плотная электронно-дырочная плазма генерировалась в GaAs пикосекундным импульсом света. Во время генерации электронно-дырочной плазмы возникали пикосекундная суперлюминесценция и локальные отклонения спектра поглощения света от рассчитанного для фермиевского распределения электронно-дырочной плазмы. Отклонение в спектральной области усиления света (измеренное усиление меньше расчетного) называлось "дырой", а отклонение в области поглощения света (измеренное поглощение больше расчетного) называлось "выступом". Наблюдалась следующая корреляция. Форма дыры подобна как форме части спектра суперлюминесценции, расположенной в той же спектральной области, что и дыра, так и форме выступа в спектре поглощения. Спектральная ширина выступа, приблизительно равная ширине дыры, и спектральное расположение выступа относительно спектра суперлюминесценции определялись энергией продольного оптического фонона. Описанная корреляция связана с обеднением заселенностей уровней на дне зоны проводимости при суперлюминесценции и приходом электронов на эти уровни путем эмиссии продольных оптических фононов.
- I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel. Sol. St. Commun., 94, 805 (1995)
- D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Phys., 48, 267 (1987)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
- N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
- N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov. Absrtacts 25th Int. Conf. on Physics of semiconductors, ICPS-25 (Osaka, Japan, Sept. 17--22, 2000) pt 1, D025, p. 49
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999)
- Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin, H.M. Van Driel, G.R. Allan. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed by Karl Hess et al. (Plenum Press, N.Y., 1996) p. 587; Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin. in: Abstracts 25th Conf. on Physics of Semiconductors (2000) pt I, p. 53
- E.O. Goebel, O. Hildebrand, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron., QE-13, 848 (1977)
- I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 35, 65 (2001)
- D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
- S. Tarucha, H. Kobayashi, Y. Horikoshi, H. Okamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 874 (1984)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук