"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO : N
Георгобиани А.Н.1, Грузинцев А.Н.2, Волков В.Т.2, Воробьев М.О.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Показано, что внедрение в процессе роста в пленки оксида цинка акцепторной примеси азота может привести к формированию дырочной проводимости лишь после отжига в парах атомарного кислорода. Отжиг влияет не только на электрические свойства, но и на люминесценцию ZnO : N. В спектре фотолюминесценции появляются полосы в ультрафиолетовой и видимой областях, обусловленные внедрением азота.
  • T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999)
  • M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., 38, L1205 (1999)
  • K. Minegishi, Y. Kowai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997)
  • Y.R. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2000)
  • X. Guo, J. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
  • S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 205 (2001)
  • T.V. Buthuzi, T.G. Chelidze, A.N. Georgobiani. Phys. Rev. B, 58, 10 692 (1998)
  • A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii. Nucl. Phys. B, 61, 341 (1998)
  • A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii, V.V. Kidalov, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 33, 185 (1997)
  • W. Van Gool, A.P. Cleiren. Phil. Res. Reports, 15, 238 (1960)
  • W. Van Gool. Phil. Res. Reports, Suppl. N 3, 61 (1963)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.