"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективная масса экситона в полупроводниках AIIIBV
Аверкиев Н.С.1, Романов К.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

В рамках метода потенциала нулевого радиуса рассчитаны эффективные массы экситонных подзон в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны. Продемонстрировано, что результаты представленного модельного расчета хорошо согласуются с численным расчетом для объемного GaAs.
  • J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
  • Ю.Н. Демков, В.Н. Островский. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике (Л., Изд-во ЛГУ, 1975)
  • Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967)
  • E.O. Kane. Phys. Rev. B, 11, 3850 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.