"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности токопрохождения в монокристаллах PbGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 15 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик монокристаллов PbGa2Se4 с удельным сопротивлением 1010-1012 Ом·см, полученных методом Бриджмена--Стокбаргера. Вычисленное с помощью дифференциального метода анализа вольт-амперной характеристики значение подвижности основных носителей (mu=14 см/B·с) позволяет оценить ряд параметров: концентрацию носителей у катода nk0=2.48·108см-3, ширину приконтактного барьера dk=5.4·10-8 см, прозрачность катода Dk*=10-5-10-4 эВ, положение квазиуровня Ферми EF=0.38 эВ. Показано, что в сильных электрических полях токопрохождение в монокристаллах PbGa2Se4 обеспечивается эффектом Пула--Френкеля. Вычисленная из значений коэффициента Френкеля величина диэлектрической проницаемости оказалась равной 8.4.
  • Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева. Неорг. матер., 35, 33 (1999)
  • Б.Г. Тагиев, Н.Н. Мусаева, Р.Б. Джаббаров. ФТП, 33, 39 (1999)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  • З.В. Беришвили, А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, П.С. Смертенко. Полупроводн. техн. и микроэлектрон., N 28, 23 (1978)
  • А.Н. Зюганов, П.С. Смертенко, Е.П. Шульга. Полупроводн. техн. и микроэлектрон., N 29, 48 (1979)
  • Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1292 (1938)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.