"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых гетероструктурах
Труханов Е.М.1, Колесников А.В.1, Василенко А.П.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Показано, что в гетероструктурах с границей раздела (001) и кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств 60-градусных дислокаций несоответствия возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. В противном случае требуется введение дополнительных семейств дислокаций несоответствия, что увеличивает вероятность образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальной пленке. При неоптимальном протекании процесса, когда вводятся два взаимно перпендикулярных семейства с противоположными типами винтовых составляющих, происходит накапливание избыточной энергии дальнодействующих сдвиговых напряжений. Примерами неоптимального введения дислокаций несоответствия является работа модифицированных дислокационных источников Франка--Рида и источников Хейгена--Шранка. Выполнено моделирование процесса релаксации и проведены экспериментальные исследования.
  • J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol., 12, 126 (1975)
  • E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Reports, 7 (3), 87 (1991)
  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН (в печати)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, E.M. Trukhanov. J. Cryst. Growth, 146, 310 (1995)
  • J.C. Bean, L.C. Feldman, A.T. Fiory, S. Nakahava. J. Sci. Vac. Technol., A2, 436 (1984)
  • M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Schaffleru. J. Cryst. Growth, 157, 126 (1995)
  • B. Beanland. J. Appl. Phys., 77, 6217 (1995)
  • J. Washburn, E.P. Kvam. Appl. Phys. Lett., 57, 1637 (1990)
  • C.G. Tuppen, C.J. Gibbings, M. Hockly, S.G. Roberts. Appl. Phys. Lett., 56, 54 (1990)
  • R.E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G.E. Beltz, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 85, 182 (1999)
  • H. Strunk, W. Hagen, E. Bauser. Appl. Phys., 18, 67 (1979)
  • R. Beanland. J. Appl. Phys., 72, 4031 (1992)
  • A. Lefebvre, C. Herbeaux, C. Bouillet, J. Dr Persino. Phil. Mag. Lett., 63, 23 (1991)
  • F.K. LeGoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
  • K.W. Shwarz. J. Appl. Phys., 85, 108 (1999)
  • A. Trampert, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2265 (1995)
  • J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys., 80, 3808 (1996)
  • V.I. Vdovin. Phys. St. Sol., 171, 239 (1998)
  • E.M. Trukhanov, E.B. Gorokhov, S.I. Stenin. Phys. St. Sol. (a), 33, 435 (1976)
  • С.И. Стенин, О.П. Пчеляков, Е.М. Труханов. В кн.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник (М., Наука, 1976) с. 222
  • В.Т. Рид. Дислокации в кристаллах (М., Наука, 1957)
  • E.M. Trukhanov, K.B. Fritzler, A.V. Kolesnikov. Appl. Surf. Sci., 123/124, 664 (1998)
  • А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластические деформации и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, 1983)
  • Е.М. Труханов. Поверхность, 2, 13 (1995)
  • Е.М. Труханов. Поверхность, 2, 22 (1995)
  • E.M. Trukhanov, A.V. Kolesnikov. Appl. Surf. Sci., 123/124, 669 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.