Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергия внутренней ионизации в соединениях A^IIB^VI

Комащенко А.В.¹, Комащенко В.Н.¹, Колежук К.В.¹, Шереметова Г.И.¹, Фурсенко В.Д.¹, Бобренко Ю.Н.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 25 июня 2001 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы зависимости чувствительности поверхностно-барьерных гетероструктур типа p-Cu_1.8S/n-A^IIB^VI от энергии возбуждающих квантов света или ускоренных моноэнергетических потоков электронов. Предложена методика определения и найдены экспериментально значения средней энергии внутренней ионизации varepsilon для прямозонных соединений A^IIB^VI. Показано, что связь varepsilon с шириной запрещенной зоны полупроводника выражается зависимостью varepsilon=2.5E_g.

В.С. Вавилов. УФН, 164(3), 287 (1994)
А.Н. Георгобиани. УФН, 113(1), 129 (1974)
С.Ю. Павелец, А.В. Комащенко, В.Д. Фурсенко, П.П. Горбик. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 34, 36 (1999)
А.В. Комащенко, К.В. Колежук, П.П. Горбик, Н.О. Май, Г.И. Шереметова. Письма ЖТФ, 26(5), 1(2000)
Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20(12), 9 (1994)
А.Г. Роках, В.А. Смоляр. Изв. АН СССР. Сер. физ., 33(3), 473 (1969)
R.P. Joshi, K.H. Schoenbach, C. Molina, W.W. Hofer. J. Appl. Phys., 74(3), 1568 (1993)
С.Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
C.A. Klein. Appl. Opt., 5(12), 1922 (1966)
С.В. Свечников, В.Г. Чалая. ФТТ, 8(10), 3108 (1966)
П.П. Горбик, Н.О. Май, А.В. Комащенко, В.М. Огенко, В.Д. Фурсенко. Доповiдi НАН Укра ни, 12, 85 (1999)
В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
C.A. Klein. J. Phys. Soc. Japan, 21, 307 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель