"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP
Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Исследованы одномодовые и многомодовые лазерные диоды с длиной волны излучения 1.0 и 1.58 мкм, изготовленные из квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения методом газофазной эпитаксии из металлогранических соединений. На основе экспериментальных зависимостей пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности от длины резонатора лазерных диодов проведен анализ пороговой плотности тока и усиления. В рамках модельных представлений получено разложение порогового тока на основные составляющие. Использованы теоретические приближения, учитывающие оже-рекомбинацию, выброс электронов из квантовых ям в волноводные слои и растекание тока в пассивные области меза-полоскового лазера.
  • Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов, В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТТ, 7, 1506 (1965)
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970)
  • F. Stern. IEEE. J. Quant. Electron., QE-9, 290 (1973)
  • Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, С.Ю. Карпов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 19, 449 (1985)
  • В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985)
  • И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  • Д.З. Гарбузов, А.В. Тикунов, С.Н. Жигулин, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 22, 1035 (1988)
  • P.W.A. McIlroy, A. Kurobe, Y. Uematsu. IEEE J. Quant. Electron., QE-21, 1958 (1985)
  • J.Z. Wilcox, G.L. Peterson, S. Ou, J.J. Yang, M. Jansen. J. Appl. Phys., 64, 6564 (1988)
  • S.Y. Hu, S.W. Corzine, K.K. Law, D.B. Young, A.C. Gossard, L.A. Coldren, J.L. Merz. J. Appl. Phys., 76, 4479 (1994)
  • T. Makino. IEEE J. Quant. Electron., QE-32, 493 (1996)
  • J.E.A. Whiteaway, G.H.B. Thompson, P.D. Green, R.W. Glew. Electron. Lett., 27, 340 (1991)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  • M.I. Dyakonov, V.V. Kocharovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130 (1994)
  • L.V. Asryan, N.A. Gunko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  • А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, П.С. Копьев. ФТП, 33, 215 (1999)
  • D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  • Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (20), 40 (2000)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (7), 57 (2000)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000)
  • А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.А. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  • S. Adachi. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  • Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 929 (1991)
  • B. Broberg, S. Lingren. J. Appl. Phys., 55, 3376 (1984)
  • Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984)
  • M.C. Wang, K. Kash, C.E. Zah, R. Bhat, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett., 62, 166 (1993)
  • Y. Zou, J.S. Osinski, P. Grodzinski, P.D. Dapkus, W. Rudeout, W.F. Sharfin, F.D. Grawford. Appl. Phys. Lett., 62, 175 (1993)
  • L. Davis, Y. Lam, D. Nichols, J. Singh, P.K. Bhattacharya. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 120 (1993)
  • M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE-33, 2266 (1997)
  • З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 23, 1806 (1989)
  • Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 1001 (2001)
  • P.J.A. Thijs, L.F. Tiemeijer, J.J.M. Binsma, T. Van Dongen. IEEE J. Quant. Electron., 30, 477 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.