"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Савкина Н.С.1, Давыдов Д.В.1, Богданова Е.В.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Показана возможность внутреннего усиления сигнала (~ в 100 раз) в детекторах короткопробежных ионов на основе карбида кремния. Детекторы создавались ростом эпитаксиальных слоев p-типа на 6H-SiC n+-подложках. Толщина пленок ~10 мкм, а уровень легирования составлял 2.8·1015 см-3. Барьеры Шоттки формировались на пленках магнетронным распылением Ni. Детекторы имели структуру n-p-n+, их параметры исследовались в режиме "плавающей базы". Использовались alpha-частицы 244Cm с энергией 5.8 МэВ и исследовалось увеличение сигнала (E) с ростом приложенного напряжения (U). Облучаемые структуры эквивалентны фототриоду. Был обнаружен сверхлинейный рост E со значительным (десятки раз) усилением вводимого alpha-частицей неравновесного заряда.
  • А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 249 (2000)
  • F. Nava, P. Vanni, G. Verzellesi, A. Castaldini, A. Cavallini, L.Polenta, R. Nipoti, C.Donolato. Mater. Sci. Forum, 353-356, 757 (2001)
  • G. Violina, P. Shkreby, E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Konstantinov. Abctracts III Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, May 24--26 (Novgorod, Russia, 2000) p. 125
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B61-62, 165 (1999)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз. 1963)
  • А.А. Гринберг. ФТТ, 1, 31 (1959)
  • A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, V.V. Kozlovskii. Mater. Sci. Forum, 353-356, 763 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.