Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста

Преображенский В.В.¹, Путято М.А.¹, Семягин Б.Р.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) использованы для калибровки датчиков температуры подложки и потока As в установках молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерена температура сублимации слоя аморфного мышьяка, адсорбированного на поверхность арсенида галлия. Показано, что данная температура постоянна и не зависит от скорости нагрева подложки, толщины осажденного слоя, вакуумных условий внутри установки молекулярно-лучевой эпитаксии и может быть использована в качестве реперной точки при калибровке температуры подложки в области низких температур роста.

S.L. Wright, R.F. Marks, A.E. Goldberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 842 (1988)
R. Fernandez. J. Cryst. Growth, 116, 98 (1992)
E.S. Hellman, P.M. Pitner, A. Harwit, D. Liu, G.W. Yoffe, J.S.Jr. Harris, B. Caffe, T. Hierl. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 574 (1986)
A.J. Spring Thorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville. Appl. Phys. Lett., 50 (2), 77 (1987)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 156 (1989)
N.J. Kawai, T. Nakagawa, T. Kojima, K. Ohta, M. Kawashima. Electron. Lett., 20, 47 (1984)
J.H. Neave, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 43, 204 (1978)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 170 (1999)
B.S. Krusor, R.Z. Bachrach. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 138 (1983)
В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник, под ред. А.А. Потехина, А.И. Ефимова (Л., Химия, 1991) с. 432

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель