О порогах возникновения неупругих деформаций в поверхностных слоях Si и GaAs при многократном импульсном лазерном облучении
Винценц С.В.1, Зотеев А.В., Плотников Г.С.
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Бесконтактным локальным фотоакустическим методом, базирующимся на спектроскопии отклонения лазерных лучей, впервые оценены в микронных областях Si и GaAs величины 10-5<varphi0<10-4 максимальных упругих сдвиговых поверхностных деформаций. Показано, что при амплитудах квазистатических фотодеформаций varphi>varphi0 в полупроводниках под действием серии сфокусированных лазерных импульсов развиваются необратимые неупругие процессы. Исследования диффузного и комбинационного рассеяния света вблизи порогов varphi0 свидетельствуют, что на начальных стадиях неупругих циклических фотодеформаций поверхностных слоев доминируют процессы генерации и пространственного перераспределения именно точечных (а не протяженных, типа дислокаций) дефектов. Приведены оценки некоторых пороговых величин для Si и GaAs, таких как поверхностные фотоиндуцированные нагревы и средние уровни сдвиговых напряжений, которые возникают в деформируемых поверхностных полупроводниковых слоях при локальном субмикросекундном облучении. Обсуждается природа низкопороговых эффектов.
- M.A. Almstead, N.M. Amer, S. Kohn, D. Fournier, A.C. Boccara. Appl. Phys. A, 32, 141 (1983)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. ЖТФ. 67 (2), 105 (1997)
- А.Г. Барсков, С.В. Винценц. ФТТ, 36, 2590 (1994)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ. 21 (19), 1 (1995)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, О.Г. Шагимуратов. Письма ЖТФ, 22 (8), 8 (1996)
- S.S. Cohen, J.B. Bernstein, P.W. Wyatt. J. Appl. Phys., 71, 630 (1992)
- А.Г. Барсков, С.В. Винценц, Г.Г. Дворянкина, З.М. Лебедева, В.Е. Любченко, А.Б. Ормонт, А.Г. Петров. Поверхность, N 3, 79 (1995)
- C.S. Lee, N. Koumvakalis, M. Bass. Appl. Phys. Lett., 47, 625 (1982); Opt. Eng., 22, 419 (1983)
- C.S. Lee, N. Koumvakalis, M. Bass. Appl. Phys., 54, 5727 (1983)
- А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия. 1979)
- В.Е. Любченко. Радиотехника, N 1, 87, (2000)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, Р.А. Захаров. Г.С. Плотников. ФТП, 31, 513 (1997)
- С.В. Винценц, В.Б. Зайцев, А.В. Зотеев, Г.С. Плотников, А.И. Родионов, А.В. Червяков. ФТП, 36 (8), 947 (2002)
- В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999) гл. 4
- Б.Л. Володин, В.И. Емельянов, Ю.Г. Шлыков. Квант. электрон., 20, 57 (1993)
- И.И. Новак, В.И. Веттегрень, Б.М. Ташпулатов. Матер. II Всес. конф. " Спектроскопия комбинационного рассеяния света" (М., 1978)
- В.П. Алехин. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов (М., Наука, 1983)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, К.И. Спиридонов. ФТТ, 39, 2224 (1997)
- Таблицы физических величин, под ред. И.К. Кикоина (1976)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series. Group 3. 17-G (1984)
- В.И. Емельянов. Квант. электрон., 28, 2 (1999).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук