"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Энергии диссоциации комплекса CiCs и A-центра в кремнии
Бояркина Н.И.1, Смагулова С.А.2, Артемьев А.А.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Якутский государственный университет, Якутск, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (CiCs) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми электронами или gamma-квантами 60Co. Сделан расчет кинетики изохронного отжига этих центров. Путем сопоставления результатов расчета с литературными экспериментальными данными, полученными при измерениях концентрации центра с уровнем Ec-0.17 эВ в процессе изохронного отжига облученного n-Si, определено значение энергии диссоциации комплекса CiCs: ECiCs=(1.10±0.05) эВ. Энергия активации отжига этого центра EaCiCs~ 2.0 эВ. Сделана оценка энергии диссоциации A-центра: EA=1.94 эВ.
  • А.В. Васильев, В.И. Панов, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 21, 573 (1987)
  • А.Г. Литвинко, Л.Ф. Макаренко, Л.И. Мурин, В.Д. Ткачев. ФТП, 14, 776 (1980)
  • L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K147 (1986)
  • И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
  • B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. B, 34, 8709 (1986)
  • Н.И. Бояркина. ФТП, 34, 425 (2000)
  • А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Препринт: Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках (Черноголовка, 1985)
  • G. Davies, E.C. Lightowlerst, R.C. Newmant, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.