"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких и тяжелых дырок в упругонапряженном GaAsN
Егоров А.Ю.1, Семенова Е.С.1, Устинов В.М.1, Hong Y.G.2, Tu C.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical and Computer Engineering University of California, San Diego, La Jolla, CA, USA
Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Обнаружено существование двух пиков в спектрах фотолюминесценции слоев твердого раствора GaAsN, выращенных на подложке GaAs, при комнатной температуре. Расстояние между пиками увеличивается с ростом содержания азота в тройном твердом растворе. Присутствие в спектрах двух переходов с участием легкой и тяжелой дырки предложено в качестве объяснения такого вида спектров фотолюминесценции. Эффект расщепления уровней энергии легкой и тяжелой дырок обусловлен действием упругой деформации слоев GaAsN при выращивании их на поверхности GaAs.
  • V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  • B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, M. Komainda, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 2204 (1999)
  • M.Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, K. Uomi. IEEE. J. Sel. Topics Quant. Electron., 3, 719 (1997)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Techn., 6, 27 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.