Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменения свойств ионно-синтезированной гетеросистемы Si_xN_y--Si в результате термических и ионно-лучевых обработок

Карзанов В.В.¹, Марков К.А.¹, Сдобняков В.В.¹, Демидов Е.С.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 18 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами просвечивающей электронной микроскопии, инфракрасной спектроскопии, регистрации вольт-амперных характеристик и емкостных измерений исследовалось влияние термообработки и дальнодействующее влияние облучения обратной стороны пластины Si ионами аргона, неона и кремния на состояние слоя Si_xN_y, синтезированного на лицевой стороне. Установлено, что наиболее эффективным для формирования изолирующих слоев нитрида кремния является ионная бомбардировка аргоном с подогревом мишени до 500^oC. Отсутствие заметного влияния облучения ионами неона и кремния согласуется с ранее предложенной моделью спонтанно-акустического механизма дальнодействия при облучении кремния аргоном.

П.В. Павлов, К.А. Марков, В.В. Карзанов, Е.С. Демидов. Высокочистые вещества, N 2, 56 (1995)
В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.В. Мастеров. Неорг. матер., 34 (9), 1138 (1998)
Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.И. Курицын. Вестн. Нижегородского ун-та (сер. Физика твердого тела), вып. 2, 105 (1998)
Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков. ФТП, 34 (2), 170 (2000)
Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.А. Лобанов, В.В. Сдобняков. ФТП, 35 (1), 21 (2001)
В.В. Карзанов, К.А. Марков, С.Ю. Зубков, Д.О. Филатов, Г.А. Максимов, Е.С. Демидов. Матер. Всеросс. совещ. "Зондовая микроскопия-99" (Н. Новгород, 1999) (Н. Новгород, Изд-во ИФМ РАН, 1999) с. 185
Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.А. Лобанов. Матер. Всеросс. совещ. "Зондовая микроскопия-2000" (Н. Новгород, 2000) (Н. Новгород, Изд-во ИФМ РАН, 2000) с. 166
Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, К.А. Марков, В.В. Сдобняков. ЖЭТФ, 120 [3(9)], 1 (2001)
Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983) с. 97. [Пер. с нем.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionenimplantation (Struttgard, 1978)]
P.V. Pavlov, T.A. Kruze, D.I. Tetelbaum. Phys. St. Sol. (a), 36 (1), 81 (1976)
Ю.Н. Волгин, Ю.И. Уханов. Опт. и спектр., 38 (4), 727 (1975)
А.Б. Данилин. Электронная промышленность, N 4, 55 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель