T. Negami. Sol. St. Phenomena, 67--68. 349 (1999)
B. Esene, M. Wagner, D. Wolf, G. Muller. J. Cryst. Growth, 198/199, 321 (1999)
S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
S.H. Wei, S.B. Tsang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)
И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
G. Martin, R. Marques, S.M. Wasim, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39, Suppl. 39--1, 44 (2000)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984). [S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N.-Y., Willey Interscience Publ., 1981)]
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications (Oxford, Pergamon Press, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.